Индий(III) оксид — универсальное соединение с важными применениями в электронике, оптике и материаловедении. Он широко используется в синтезе прозрачных проводящих оксидов (TCO), особенно для плоских дисплеев и солнечных батарей, благодаря своей электрической проводимости и оптической прозрачности. В полупроводниковой технологии применяется для создания оксида индия-олова (ITO), улучшая работу электронных устройств. Индий(III) оксид чувствителен к различным газам, что делает его подходящим для газовых сенсоров, особенно для обнаружения опасных газов.
Применение:
— Фотокатализ CO2 с использованием поверхности, функционализированной аминами.
— Улучшение газочувствительности металлов-оксидов при УФ-возбуждении.
— Использование трёхвалентных индий комплексов как катализаторов и прекурсоров.
— Синтез и перспективы серебряно-индий оксидных инверсных опалов.
— Повышение фотокаталитической активности для удаления микрозагрязнителей при видимом свете.
Физические свойства:
— Нанопорошок, размер частиц <100 нм
— Плотность: 7.18 г/мл при 25 °C
— Парциальное давление: <0.01 мм рт. ст. при 25 °C.
Индий(III) оксид также находит применение в качестве катализатора и прекурсора в различных промышленных процессах и синтезе наночастиц, что делает его незаменимым в современной науке о материалах.