Подложка для органического полевого транзистора с задним затвором

Описание:

Подложка представляет собой кремниевую пластину диаметром 200 мм в соответствии с полупроводниковым стандартом (используется для схем с нижним затвором). Структура слоев: Затвор: легированный n-типом кремний (концентрация легирования на поверхности пластины: n~3·10¹⁷/см³). Затворный оксид: диоксид кремния (SiO₂) толщиной 230 ± 10 нм (термическое окисление). Сток/исток: отсутствуют. Защитное покрытие: фоторезист AR PC 5000/3.1 (растворим в AZ-Thinner или ацетоне). Макет: чистый оксид с нарезкой. Размер чипа: 15 × 15 мм². Количество чипов: 112 на пластине. Данная подложка обеспечивает стандартизированную архитектуру для исследований органических полупроводников, что критически важно для воспроизводимости экспериментов. Термически выращенный слой SiO₂ гарантирует высокое качество диэлектрика, а использование полупроводникового стандарта обеспечивает совместимость с оборудованием для микроэлектроники.

Применение:

Подложка для органического полевого транзистора с задним затвором (OFET) применяется при производстве химических сенсоров для измерения pH и обнаружения иммуноанализов. Также используется в создании биосенсоров для детектирования SARS-CoV-2 путем нанесения на поверхность транзистора специфических антител. Биосенсоры на основе полевых транзисторов перспективны для клинической диагностики, тестирования у постели больного и полевого мониторинга. Для материаловедов в области органических полупроводников стандартизированная архитектура устройства необходима для сравнительного анализа свойств новых материалов. Подложки изготовлены в чистых помещениях НПО ЭкоТек. Электроды стока и истока могут наноситься как до, так и после осаждения органического полупроводника, что обеспечивает гибкость в выборе материалов электродов и удовлетворяет различным предпочтениям в архитектуре устройств. При осаждении органического полупроводника на подложку кремний выступает в роли затвора, управляя током канала между верхними электродами. Специально легированный интерфейс Si-SiO₂ гарантирует воспроизводимый контакт затвора, соответствующий стандартам КМОП-технологии.