Фосфид индия(III)

Описание:

Фосфид индия(III) (InP) — это бинарный полупроводниковый материал, относящийся к группе соединений A³B⁵. Высокочистый продукт (99,998% по содержанию металлов) в виде кусочков размером 3-20 меш. Благодаря своим уникальным электронным и оптическим свойствам, фосфид индия(III) находит широкое применение в оптоэлектронике и высокочастотных устройствах. Кристаллическая структура — цинковая обманка (сфалерит), что обеспечивает прямое запрещённое состояние с шириной запрещённой зоны около 1,34 эВ при комнатной температуре. Материал отличается высокой подвижностью электронов и термостойкостью, что делает его незаменимым для создания лазерных диодов, фотодетекторов и транзисторов.

Применение:

Фосфид индия(III) (InP) применяется в производстве высокоэффективных оптоэлектронных компонентов: инфракрасных лазеров (включая лазеры для волоконно-оптической связи), светодиодов и фотоприёмников. Используется в солнечных элементах космического базирования благодаря высокой радиационной стойкости. Служит основой для создания транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT), работающих в миллиметровом диапазоне частот. НПО ЭкоТек поставляет высокочистый фосфид индия(III) для научных исследований и промышленного производства в микроэлектронике и фотонике. Материал также востребован в квантовых технологиях и при создании датчиков нового поколения.