Арсенид галлия

Описание:

Арсенид галлия (GaAs) — полупроводниковое соединение III-V группы, обладающее высокой электронной подвижностью и прямой запрещённой зоной. Широко применяется в оптоэлектронике, солнечных батареях и высокочастотных устройствах. Материал характеризуется высокой температурной стабильностью и устойчивостью к радиации. Кристаллическая структура — цинковая обманка. Плотность: 5,32 г/см³, ширина запрещённой зоны: 1,42 эВ при 300 К. Примечателен тем, что электроны в GaAs движутся в 6 раз быстрее, чем в кремнии.

Применение:

Арсенид галлия используется в производстве светодиодов, лазерных диодов, солнечных элементов космических аппаратов и СВЧ-транзисторов. В микроэлектронике применяется для создания интегральных схем высокой частоты. Также служит подложкой для эпитаксиального наращивания других соединений III-V группы. Благодаря прямой запрещённой зоне эффективно преобразует электричество в свет, что делает его незаменимым в оптоэлектронных приборах. НПО ЭкоТек поставляет высококачественные подложки GaAs с ориентацией для научных и промышленных применений.