Фосфид галлия

Описание:

Фосфид галлия (GaP) — это полупроводниковое соединение класса A³B⁵, характеризующееся прямой запрещённой зоной шириной 2.26 эВ при комнатной температуре. Кристаллизуется в кубической сингонии (структура типа сфалерита). Обладает высокой механической прочностью и устойчивостью к окислению. Чистый фосфид галлия проявляет оранжевую люминесценцию, что делает его перспективным материалом для оптоэлектронных устройств. В природе не встречается, синтезируется искусственно. НПО ЭкоТек поставляет монокристаллические подложки фосфида галлия с заданными параметрами для научных исследований и промышленного применения.

Применение:

Монокристаллические подложки из фосфида галлия (111) используются в производстве светодиодов (LED) оранжевого и жёлтого свечения, лазерных диодов, высокочастотных транзисторов и детекторов видимого излучения. Благодаря высокой подвижности носителей заряда применяются в СВЧ-устройствах и оптоэлектронных интегральных схемах. Подложки диаметром 2 дюйма и толщиной 0.5 мм идеальны для эпитаксиального наращивания структур методом MOCVD или MBE. В НПО ЭкоТек вы можете приобрести подложки GaP с контролируемой концентрацией дефектов, обеспечивающие воспроизводимость результатов в нанотехнологиях и фотонике.