Карбид кремния

Описание:

Карбид кремния (SiC) — полупроводниковый материал с плотной упаковкой двойных слоёв кремния и углерода. Обладает выдающимися термомеханическими и электрическими свойствами, что делает его востребованным в электронике и оптоэлектронике. В природе встречается в виде редкого минерала муассанита. По твёрдости (9,5 по Моосу) уступает только алмазу и кубическому нитриду бора. Искусственный карбид кремния синтезируют в печах Ачесона при 2500°C из смеси кокса и кварцевого песка. Применяется как абразив, огнеупор, полупроводник, а также в бронекерамике. НПО ЭкоТек поставляет высокочистый карбид кремния для научных и промышленных нужд.

Применение:

Карбид кремния широко применяется в качестве базового материала для микроструктур, оптоэлектронных устройств (светодиоды, УФ-детекторы), высокотемпературной электроники (включая ядерную) и ВЧ-приборов. Благодаря высокой теплопроводности (до 490 Вт/м·К) и широкой запрещённой зоне (3,3 эВ) он незаменим в силовой электронике: диоды Шоттки, MOSFET-транзисторы для электромобилей и солнечных инверторов. В металлургии служит раскислителем, в аэрокосмической отрасли — материалом для тормозных дисков и керамических матриц композитов. НПО ЭкоТек обеспечивает поставки карбида кремния с контролируемым размером частиц для 3D-печати керамики.