Описание:
Карбид кремния (SiC) — высокотемпературный полупроводниковый материал с уникальными физико-химическими свойствами. Горячее прессование обеспечивает повышенную плотность и прочность материала, что делает его идеальным для экстремальных условий эксплуатации. Основные характеристики: высокая твёрдость (9,5 по Моосу), теплопроводность до 120 Вт/(м·К), химическая инертность к кислотам и щелочам при комнатной температуре. Материал применяется в абразивной обработке, огнеупорных покрытиях, высокотемпературной электронике и бронекерамике. Для получения актуальных паспортов безопасности (SDS) обращайтесь в НПО ЭкоТек.
Применение:
Карбид кремния горячего прессования используется в производстве: 1) Износостойких деталей насосов и уплотнений 2) Подложек для светодиодов и высокочастотных устройств 3) Керамических бронепластин 4) Нагревательных элементов печей (до 1600°C) 5) Огнеупорных футеровок металлургического оборудования. Благодаря сочетанию низкого коэффициента теплового расширения и высокой теплопроводности, SiC стабилен при термоударах. В микроэлектронике позволяет создавать компоненты с повышенной радиационной стойкостью.