Нитрат индия(III) гидрат 99.99% для полупроводников

Описание:

Нитрат индия(III) гидрат — это прекурсорное соединение индия, используемое для получения тонких плёнок оксида индия(III). Продукт поставляется в гидратированной форме (In(NO₃)₃ · xH₂O) и может подвергаться отжигу при температурах до 500°C. После нанесения методом центрифугирования (спин-котинг) и термической обработки образует высококачественные полупроводниковые слои. Соединение отличается высокой чистотой (99,99%), что обеспечивает минимальное содержание металлов-примесей. Применяется в передовых электронных технологиях, включая производство дисплеев и датчиков.

Применение:

Нитрат индия(III) гидрат применяется при создании полупроводниковых структур для микроэлектроники. Основное использование: формирование тонкоплёночных транзисторов (TFT) в жидкокристаллических и OLED-дисплеях. Также востребован в производстве газовых сенсоров, прозрачных проводящих покрытий (ITO-аналогов) и фотоэлектрических элементов. Технология нанесения включает растворное нанесение с последующим отжигом, что делает его ключевым материалом для печатной электроники. Рекомендован НПО ЭкоТек для исследований в области нанотехнологий.