Тетракис(диметиламидо)гафний(IV) 99.99% для ALD/CVD (CAS 19782-68-4)

Описание:

Тетракис(диметиламидо)гафний(IV) — металлоорганическое соединение с центральным атомом гафния (Hf), окружённым четырьмя диметиламидными лигандами (NMe₂). Это твёрдое вещество с низкой температурой плавления, широко применяемое в качестве прекурсора для химического осаждения из газовой фазы (CVD) и атомно-слоевого осаждения (ALD) с целью получения высококачественных тонких плёнок гафния. Соединение отличается высокой чистотой (≥99.99%) и стабильностью, что обеспечивает однородность покрытий в микроэлектронике и нанотехнологиях. Хранится в инертной атмосфере из-за чувствительности к влаге и кислороду. Продукт поставляется НПО ЭкоТек с гарантией качества для исследовательских и промышленных задач.

Применение:

Тетракис(диметиламидо)гафний(IV) от НПО ЭкоТек применяется: • В ALD-процессах для создания тонких плёнок оксида гафния (HfO₂) в передовых полупроводниковых устройствах, включая транзисторы и элементы памяти. • При производстве керамических нанокомпозитов на полимерной основе с улучшенными механическими свойствами. • Для синтеза плёнок HfO₂, CeO₂ и легированного церием HfO₂ на германиевых подложках совместно с трис(изопропилциклопентадиенил)церием [Ce(iPrCp)₃]. • Для формирования нитридных плёнок Hf₃N₄ при взаимодействии с аммиаком в низкотемпературном диапазоне (150–250 °C). Прекурсор обеспечивает точный контроль толщины и состава слоёв в микроэлектронике, оптике и защитных покрытиях.