Тетракис(диметиламидо)гафний(IV) ЭкстраЧистый для микроэлектроники

Описание:

Тетракис(диметиламидо)гафний(IV) — это металлоорганическое соединение гафния, используемое в качестве высокочистого прекурсора для атомно-слоевого осаждения (ALD) и химического осаждения из паровой фазы (MOCVD). Оно обеспечивает эффективное формирование гладких аморфных пленок оксида гафния с контролируемой толщиной на наноуровне. Соединение отличается высокой летучестью, термической стабильностью и реакционной способностью, что делает его идеальным для создания диэлектрических слоев в микроэлектронике. При работе требует инертной атмосферы и строгого контроля влажности из-за высокой чувствительности к гидролизу.

Применение:

Прекурсор упакован для систем осаждения. Применяется для атомно-слоевого осаждения наноламинатов оксида гафния (HfO₂), заменяющих диоксид кремния в современных полупроводниковых приборах. Ключевые сферы: производство транзисторов с высоким значением диэлектрической проницаемости (high-k), запоминающих устройств, интегральных схем. Продукт поставляется НПО ЭкоТек в герметичных ампулах или цилиндрах с гарантией чистоты и воспроизводимости параметров для высокоточной нанотехнологии.