Диоксид теллура (TeO₂) — это важное соединение, используемое в различных отраслях, включая электронику и фотонику, благодаря своим уникальным свойствам. В частности, он проявляет свойства полупроводника с прямой зоной проводимости, что делает его перспективным для создания новых 2D материалов с высокой подвижностью носителей заряда.
Метод синтеза наноструктур теллура и диоксида теллура с использованием ультразвуковой обработки в метаноле позволяет получать высококачественные материалы с улучшенными характеристиками. Этот процесс включает в себя восстановление TeCl₄ до теллура и последующее окисление до диоксида теллура.
Диоксид теллура обладает высокой чистотой (≥ 99,5 %), что подтверждается гравиметрическим анализом и тестами на идентичность (ICP-OES). Физические свойства: температура плавления 733 °C, плотность 6,02 г/см³ при 20 °C. Хранение не требует строгих температурных условий. LD50 (перорально для крыс) составляет более 2000 мг/кг.