Галлий(III) ацетилацетонат

Галлий(III) ацетилацетонат — это прекурсор для метода сол-гель, используемый в синтезе нанонитей GaN, наноигл и тонких пленок оксида галлия, которые находят применение в аккумуляторах, топливных и солнечных ячейках.

Применение:
Галлий(III) ацетилацетонат может использоваться как прекурсор для синтеза нанокристаллических спинелей оксида галлия методом сольвотермального процесса, что применимо в фотокатализе, материалах катодов батарей и электрокатализе.
Он также применяется для изготовления слоя сплава LiGa на литиевом аноде методом электровосстановления «ин-ситу», что подавляет образование дендритов на аноде в литий-серных батареях.
Используется для приготовления высокоэффективных наночастиц галлий-платина (GaPt3) методом горячего растворителя, которые являются электрокатализаторами реакции эволюции водорода.
Также применяется в синтезе нанокристаллов γ-Ga2O3 для создания слоя электронного транспорта в перовскитных солнечных батареях. Это способствует созданию эффективных межфазных соединений с верхним слоем перовскита, повышая эффективность переноса заряда.

Свойства:
— Уровень качества: 100
— Чистота: 99.99% (по металлам в следовых количествах)
— Форма: твердое вещество
— Температура плавления: 196-198 °C (разложение)
— SMILES: CC(=O)C=C(C)O[Ga](OC(C)=C/C(C)=O)OC(C)=C/C(C)=O
— InChI: 1S/3C5H8O2.Ga/c3*1-4(6)3-5(2)7;/h3*3,6H,1-2H3;/q;;;+3/p-3/b3*4-3-
— InChI key: ZVYYAYJIGYODSD-LNTINUHCSA-K