Негативный фоторезист водощелочного проявления

Фоторезист предназначен для реализации фотолитографических процессов с последующим гальваническим осаждением металлов в производстве интегральных схем, печатных микроплат, электроформованных сит, и в других областях, где используются методы прецизионной фотолитографии и гальванопластики. Фоторезист изготовлен на основе сополимеров метакрилового ряда.

Формирование пленки на подложке осуществляется центрифугированием или погружением в раствор. Высокое качество сформированного в фоторезисте рельефа достигается в результате проведения сушки и фотополимеризации облученных участков.

Для обеспечения фотополимеризации пленка фоторезиста перед экспонированием покрывается защитным слоем, предохраняющим от доступа кислорода. Допускается нанесение защитного слоя методом погружения в раствор или поливом.

Особенностью фоторезиста является вертикальный профиль проявления при любых толщинах слоев. Выпускается фоторезист, обеспечивающий получение пленок толщиной от 5 мкм до 400 мкм.

Технические данные фоторезиста
Внешний вид вязкая прозрачная жидкость розового или синего цвета
Кинематическая вязкость, мм г/c
Типичная толщина пленки, мкм НФВЩ-5-10
НФВЩ-25-27
НФВЩ-40-45
НФВЩ-70-75
НФВЩ-350-400
Проявитель 2% раствор натрия углекислого
Условия сушки фоторезиста 60 — 80°С, 20 — 30 мин.
Условия сушки защитного слоя 20 — 30°С, до полного высыхания.
Спектральная чувствительность, нм 330 — 410
Разрешающая способность фоторезиста толщиной
5 — 10 мкм
25 — 27 мкм

15 — 20 мкм
35 — 40 мкм
Термостойкость проявленного рельефа (отсутствие искажения размеров элементов) до 170 — 180°С