Карбид кремния

Описание:

Карбид кремния (SiC) — это полупроводниковый материал, состоящий из плотноупакованных двойных слоёв кремния и углерода. Обладая превосходными термомеханическими свойствами, он широко применяется в электронике и оптоэлектронике. Этот материал характеризуется высокой твёрдостью (9,5 по шкале Мооса), исключительной теплопроводностью и химической инертностью. Карбид кремния существует в более чем 250 кристаллических модификациях, среди которых наиболее распространены гексагональные политипы 4H-SiC и 6H-SiC. Уникальное сочетание свойств делает его незаменимым в экстремальных условиях эксплуатации.

Применение:

Карбид кремния преимущественно используется как базовый материал для микроструктур, оптоэлектронных устройств (OLED-дисплеи), УФ-детекторов, высокотемпературной электроники (ядерная энергетика) и высокочастотных приборов. Благодаря широкой запрещённой зоне (3,26 эВ для 4H-SiC) он эффективен в силовой электронике, системах преобразования энергии и электромобилях. Особое значение SiC имеет в производстве огнеупорных материалов, абразивных инструментов и бронекерамики. НПО ЭкоТек поставляет высокочистый карбид кремния для исследовательских и промышленных нужд.